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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：
6. 导通电阻ron
·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，24n50场效应晶体管，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，25n120场效应晶体管，所以这时的导通电阻ron可用---的ron来近似
·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内
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mos管如何工作在放大区？
mos管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，100n10场效应晶体管，都是利用mos管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线---。由于栅极与源漏隔离，场效应晶体管，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管的。
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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds
·cgs和cgd约为1~3pf，cds约在0.1~1pf之间
8. 低频噪声系数nf
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝(db)。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
25n120场效应晶体管-asemi-场效应晶体管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司在二极管这一领域倾注了诸多的热忱和热情，强元芯电子一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创。相关业务欢迎垂询，联系人：李绚。同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，asemi品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。
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