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绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用sio2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅---金属铝，故又称为mos管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，10n60n沟道mos管，可达1010ω以上，n沟道mos管，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于---和---规模集成电路中。
与结型场效应管相同，mos管工作原理动画示意图也有n沟道和p沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，25n120n沟道mos管，因此mos管的四种类型为：
n沟道增强型管、n沟道耗尽型管、
p沟道增强型管、p沟道耗尽型管。
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asemi品牌 25n120 mos场效应晶体管 插件封装 mosfet
型号：25n120
封装：to-247/3p
漏极电流（vds）：25a
漏源电压（id）：1200v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般为n沟道和p沟道，详情参考右侧图片(p沟道耗尽型mos管)。而p沟道常见的为低压mos管。编辑：th
mosfet（场效应管）的主要参数：
4. 栅源击穿电压bvgs
·在增加栅源电压过程中，24n50n沟道mos管，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。
5. 低频跨导gm
·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征mos管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几ma/v的范围内
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