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asemi低压降肖特基二极管sb10100lfct采用的是ito-220ab全塑封装，sb10100lfct采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片，高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。---其参数可以达到:10a为正向整流，100v为反向耐电压，150a峰值浪涌电流，0.54v正向压降以及20ua漏电流。这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现---。采用了环氧树脂封装材料，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏电。
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asemi肖特基二极管mbr30100fct是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，速度快，阳春肖特基二极管，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：to-220；电性参数正向电流为30a，反向耐压为100v；正向峰值浪涌电流为200a，反向恢复时间：＜5ns，肖特基二极管原理，芯片尺寸：122mil.
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asemi肖特基二极管期初目的是为提高电源效率，从而研制出了普通肖特基二极管；现如今，为充分发挥挖掘sky的低vf效能而开发出的低压降肖特基二极管。那我们今天在这里也认识到了低压降肖特基二极管，可谓升级版的低压降肖特基二极管，---特性、---vf、高温漏电小。
asemi肖特基二极管mbr40100fct广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，肖特基二极管的应用，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用。台湾 asemi肖特基二极管mbr40100fct 采用俄罗斯mikron芯片，28条台湾健鼎测试线。电性参数为40a100v，内含芯片个数有2个，芯片尺寸达130mil.
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